专利摘要显现，本发明公开了一种肖特基二极管，肖特基二极管包含：榜首掺杂类型的衬底，衬底一侧设置有阴极；榜首掺杂类型的外延层，外延层设置于衬底的另一侧，外延层远离衬底的一侧设置有阳极，设定阳极和阴极的距离方向为竖直方向，外延层包含多个子外延层，多个子外延层的掺杂浓度在水平方向上呈梯度改变，其间，水平方向垂直于竖直方向。由此，经过使外延层包含多个子外延层，而且使多个子外延层的掺杂浓度在水平方向上呈梯度改变，这样做才能够在确保肖特基二极管的耐压才能的前提下，下降肖特基二极管的导通压降。
